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半導體存儲器
[ 瀏覽次數：約1234次 ] 發布日期：2017-06-27半導體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。
目錄
半導體存儲器用途
半導體存儲器按功能分類
半導體存儲器按其制造工藝
半導體存儲器技術指標
半導體存儲器用途
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
半導體存儲器的
半導體存儲器按功能分類
按其功能可分為：隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)
RAM包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)，當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲器。
ROM 主要用于BIOS存儲器。
半導體存儲器按其制造工藝
可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
半導體存儲器按其存儲原理
可分為：靜態和動態兩種。
其半導體存儲器優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。
半導體存儲器技術指標
主要有：
1. 存儲容量：存儲單元個數M×每單元位數N
2. 存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期：兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)
5. 功耗：動態功耗、靜態功耗
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